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半导体晶圆划片废水处理案例|半导体晶圆划片废水处理方法

工程历史背景 本新项目是在长四角东南部某国际级光电器件产业化苑区,工业企业最主要的制作8屏幕尺寸和12屏幕尺寸晶圆,日产尼桑量做到2万片。时间推移的生产学习能力不断提升,本身的废水治疗方法治疗机系统已没法做到的环保条件,现需在线升级创新。新项目总投资项目约1300万元,规划治疗学习能力为300吨/日,于202在一年开建投入使用。 化工废水化学物质及起源 该公司企业晶圆小学划片流程引起的化工废水最主要的富含低于化学物质: 裁割时中用到的考虑液残存物,具体有效成分为二腐蚀硅颗料、接触面吸附性剂和无机调用剂 晶圆接触面洗掉生成的含氟废液,氟阴离子盐浓度在80-120mg/L 极少量高价属铁离子如铜、镍等,来自于切割器手段损耗 生产容剂残余物,还有异丙醇、异丙醇等 pH值震荡较高,一般 在4-10相互间 处理加工工作流程 造成焦化废水特质,设汁主要采用"物理化学预治理 +生化学治理 +深层次治理 "的整合生产工艺: 调低池 :动态平衡水体质量排水量,设立pH一直在线评估和自主投加药剂系统化 混凝土沉淀物 :加药系统PAC和PAM,剔除漂浮物和胶体溶液产物 气浮单元尺寸 :利用溶气气浮鑫霖环保提高认识骤剔除狗细小颗粒物和区域有机的物 生化模式工作 :主要采用MBR膜生物技术症状器,活性污泥酸度持续在8000-10000mg/L 广度加工处理 :活力性炭吸咐+反侵入加工过程,确保安全生产喷水达到 飞灰处理 :板框隔膜压滤机脱水情况,厌氧颗粒污泥含水分率减少为60%这 处理视觉效果 整体相对稳定行驶后,出水出水土质非常到达《電子化学工业水生态破坏物减排条件》(GB39731-2020)特别减排允许值规范要求: COD<30mg/L 氟阴阳离子<5mg/L 透明桌面物<10mg/L 巨资属每项标准均不低于最大限度 内容年年可降低影响物的投放量下跌约COD 32吨、氟化物8.5吨,使用水率做到75%这,为机构可以水电费其他支出约130万元/年。

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